MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-7 30 A 650 V, 7 broches

Le circuit MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé en utilisant la technologie MOSFET SiC de 3ème génération avancée et innovante de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(en marche) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.

Certifié AEC-Q101
Très faible RDS(on) sur toute la plage de température.
Performances de commutation haute vitesse.
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste. Broche de détection de source
pour un rendement accru