MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 42 A 75 V

Les MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon utilisent les dernières techniques de traitement pour obtenir une faible résistance à l'enclenchement par surface de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de circuit robuste pour laquelle les transistors MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un circuit extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans le secteur automobile et une grande variété d'autres applications.

Technologie planaire avancée
Faible résistance à l'allumage
Temps de fonctionnement dv/dt dynamique
Température de fonctionnement de 175 °C