MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 iPB AEC-Q101
- Code commande RS:
- 249-6906
- Référence fabricant:
- IPB80N08S2L07ATMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
4,36 €
HT
5,23 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 1 878 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,36 € |
| 10 - 24 | 4,14 € |
| 25 - 49 | 3,96 € |
| 50 - 99 | 3,79 € |
| 100 + | 3,54 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 249-6906
- Référence fabricant:
- IPB80N08S2L07ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | iPB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série iPB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
75V, N-Ch, 6,8 mΩ max, MOSFET automobile, D2PAK, OptiMOSTM
L'OptiMOS d'Infineon est un transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles. Le canal de fonctionnement est N. Il est certifié AEC Q101. Reflux de crête MSL1 jusqu'à 260 °C. Produit vert (conforme à la directive RoHS) et testé 100 % Avalanche.
Résumé des caractéristiques
•Niveau logique canal N - mode d'amélioration
•Certifié AEC-Q101 automobile
•MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
•Température d'utilisation de 175 °C
•Boîtier vert (sans plomb)
•Très faible RDS(on)
•Testé 100 % avalanche
Avantages
•le RDS le plus bas au monde à 75 V (marche) dans la technologie planaire
•capacité de courant la plus élevée
•les plus faibles pertes de puissance de commutation et de conduction pour le plus haut rendement thermique
•Boîtiers robustes avec une qualité et une fiabilité excellentes
•La charge totale de la grille optimisée permet de réduire les étapes de sortie du driver
Applications potentielles
•Contrôle de vannes
•Contrôle des solénoïdes
•Eclairage
•Moteurs à une extrémité
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V Enrichissement TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 80 A 40 V Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 120 A Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 180 A Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 90 A Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 80 A 60 V Enrichissement TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 120 A 40 V Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 160 A 40 V Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101