MOSFET 2 canal Type N, Type P Infineon 950 mA 20 V Enrichissement, 6 broches, US BSD235C AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0523
- Référence fabricant:
- BSD235CH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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| 500 - 990 | 0,265 € | 2,65 € | 20,50 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0523
- Référence fabricant:
- BSD235CH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N, Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 950mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | BSD235C | |
| Type de Boitier | US | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 1.20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.5W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N, Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 950mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série BSD235C | ||
Type de Boitier US | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 1.20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.5W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET Infineon série BSD235C, tension drain-source maximale de 20 V, courant de drain continu maximal de 0,95 A - BSD235CH6327XTSA1
Ce MOSFET est un transistor à double mode d'enrichissement conçu pour les applications compactes de qualité automobile. Il intègre des éléments à canal N et à canal P sur une seule puce dans un boîtier SOT-363 à 6 broches, permettant des tâches de commutation et de signalisation à faible encombrement. Le dispositif est spécifié pour fonctionner sur une large plage de températures adaptée aux environnements exigeants et est conforme aux restrictions environnementales en matière de matériaux.
Caractéristiques et avantages :
• La tension de drain maximale de 20 V permet une capacité de commutation basse tension
• Le courant de drain continu de 0.95 A prend en charge des charges de courant modérées
• La valeur nominale de source de grille de 1,2 V permet un fonctionnement de commande de grille à basse tension
• La dissipation de puissance de 0,5 W permet un budget thermique compact
• Température de fonctionnement maximale de 150 °C permettant une utilisation ambiante élevée
• Le courant de drain continu de 0.95 A prend en charge des charges de courant modérées
• La valeur nominale de source de grille de 1,2 V permet un fonctionnement de commande de grille à basse tension
• La dissipation de puissance de 0,5 W permet un budget thermique compact
• Température de fonctionnement maximale de 150 °C permettant une utilisation ambiante élevée
Applications
• Convient à la commutation de charge automobile dans les espaces restreints
• Idéal pour les niveaux de signaux push-pull complémentaires
• Utilisé avec une logique de commande basse tension pour la commande de grille
• Peut être utilisé pour la gestion redondante de l'alimentation à double élément
• Utilisé pour les conceptions de cartes compactes nécessitant la conformité RoHS
• Idéal pour les niveaux de signaux push-pull complémentaires
• Utilisé avec une logique de commande basse tension pour la commande de grille
• Peut être utilisé pour la gestion redondante de l'alimentation à double élément
• Utilisé pour les conceptions de cartes compactes nécessitant la conformité RoHS
Combien d'éléments de transistor sont intégrés sur la puce?
Il contient deux éléments, un canal N et un canal P.
Quel nombre de broches et quel boîtier dois-je prévoir dans l'agencement des circuits imprimés?
Le dispositif utilise un encombrement SOT‐363 à 6 broches pour le montage en surface.
Quelles températures extrêmes peut-il supporter pendant son fonctionnement?
La plage de fonctionnement autorisée s'étend de -55 °C à 150 °C.
L'appareil est-il adapté lorsque des restrictions matérielles s'appliquent?
Il est conforme aux exigences relatives aux matériaux RoHS et est conçu en conséquence.
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