MOSFET 2 canal Type P Isolé onsemi 880 mA 20 V Enrichissement, 6 broches, US AEC-Q101

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Code commande RS:
780-0611
Référence fabricant:
NTJD4152PT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

880mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

US

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

1Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

2.2nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-12V, +12V

Dissipation de puissance maximum Pd

350mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-0.8V

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.35mm

Normes/homologations

No

Longueur

2.2mm

Hauteur

1mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET à double canal P, ON Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semiconductor


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