MOSFET de puissance canal N Vishay 40 A 650 V Épuisement, 8 broches, PowerPAK 10 x 12 EF AEC-Q101
- Code commande RS:
- 252-0263
- Référence fabricant:
- SIHK055N60EF-T1GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 252-0263
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- SIHK055N60EF-T1GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 40A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 10 x 12 | |
| Série | EF | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.05mΩ | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 236W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 90nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 40A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PowerPAK 10 x 12 | ||
Série EF | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.05mΩ | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 236W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 90nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Largeur 5.15mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 6.15mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET de puissance série EF de Vishay, tension de source de drain de 650 V, courant de drain de 40 A - SIHK055N60EF-T1GE3
Ce MOSFET de puissance est un transistor de commutation haute tension destiné aux environnements exigeants de conversion de puissance et de commande. Il s'agit d'un dispositif d'épuisement à canal N à montage en surface qui fonctionne sur une large plage thermique et est adapté aux applications nécessitant une gestion haute tension, un courant continu important et un comportement contrôlé de l'entraînement de la grille.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale drain-source de 650 V permet une capacité de commutation haute tension
• Le courant de drain continu de 40 A prend en charge le fonctionnement à charge lourde
• Rds(on) de 0,05 mΩ minimise les pertes de conduction à des courants élevés
• La charge de grille typique de 90 nC permet une énergie de commutation prévisible
• Dissipation de puissance maximale de 236 W résistant à un stress thermique important
• La tolérance de grille de 20 V permet des marges d'entraînement de grille robustes
• Le courant de drain continu de 40 A prend en charge le fonctionnement à charge lourde
• Rds(on) de 0,05 mΩ minimise les pertes de conduction à des courants élevés
• La charge de grille typique de 90 nC permet une énergie de commutation prévisible
• Dissipation de puissance maximale de 236 W résistant à un stress thermique important
• La tolérance de grille de 20 V permet des marges d'entraînement de grille robustes
Applications
• Utilisé avec les convertisseurs et inverseurs de puissance industriels
• Convient aux étages d'entraînement de moteur haute tension
• Idéal pour la conversion c.c.-c.c. dans les systèmes à usage intensif
• Peut être utilisé pour les modules de traction ou d'alimentation automobile
• Utilisé pour les réseaux de commutateurs haute puissance dans les systèmes énergétiques
• Convient aux étages d'entraînement de moteur haute tension
• Idéal pour la conversion c.c.-c.c. dans les systèmes à usage intensif
• Peut être utilisé pour les modules de traction ou d'alimentation automobile
• Utilisé pour les réseaux de commutateurs haute puissance dans les systèmes énergétiques
Quelles sont les extrêmes thermiques que l'appareil peut supporter en service?
Il est conçu pour fonctionner de -55 °C à +150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements présentant une grande variation de température.
Comment le composant est-il monté sur une carte et quel est le boîtier fourni?
Le dispositif est fourni dans un boîtier à montage en surface PowerPAK 10 x 12 conçu pour un montage sur circuit imprimé à faible inductance et un contact thermique efficace.
Quelles normes réglementaires ou industrielles offre-t-il pour l'utilisation dans l'industrie automobile?
Il répond aux exigences AEC-Q101 pour la qualification des semi-conducteurs adaptée aux systèmes électroniques automobiles.
À quel nombre de broches les concepteurs doivent-ils s'attendre lors de la création d'empreintes de circuits imprimés?
Le composant présente une disposition à 8 broches, qui doit être logée dans le modèle de mise à la terre du circuit imprimé pour un placement et un acheminement corrects.
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