MOSFET P DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 254-8618
- Référence fabricant:
- DMP2004UFG-7
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 254-8618
- Référence fabricant:
- DMP2004UFG-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 12V | |
| Type de Boitier | PowerDI3333-8 | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 41mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 3.25mm | |
| Hauteur | 850μm | |
| Largeur | 3.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 12V | ||
Type de Boitier PowerDI3333-8 | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 41mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 3.25mm | ||
Hauteur 850μm | ||
Largeur 3.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET en mode d'amélioration de canal P DiodeZetex a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Il est applicable dans les commutateurs de charge et les po
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