MOSFET P DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement, 3 broches, X1-DFN1006-3 DMP AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 10000 unités)*

430,00 €

HT

520,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 28 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
10000 +0,043 €430,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
254-8623
Référence fabricant:
DMP2900UFB-7B
Marque:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10.7A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Série

DMP

Type de Boitier

X1-DFN1006-3

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

41mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.73W

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

123nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

1.07mm

Hauteur

5.3mm

Largeur

670μm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET en mode d'amélioration de canal P DiodeZetex a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Il est applicable dans les commutateurs de charge et les po

Faible résistance à la mise sous tension, vitesse de commutation rapide, sans halogène ni antimoine

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.