MOSFET P DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement, 3 broches, X1-DFN1006-3 DMP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 254-8624
- Référence fabricant:
- DMP2900UFB-7B
- Marque:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | 0,201 € | 5,03 € |
| 500 - 975 | 0,072 € | 1,80 € |
| 1000 - 2475 | 0,052 € | 1,30 € |
| 2500 - 4975 | 0,051 € | 1,28 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 254-8624
- Référence fabricant:
- DMP2900UFB-7B
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 12V | |
| Type de Boitier | X1-DFN1006-3 | |
| Série | DMP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 41mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 123nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 670μm | |
| Longueur | 1.07mm | |
| Hauteur | 5.3mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 12V | ||
Type de Boitier X1-DFN1006-3 | ||
Série DMP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 41mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 123nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 670μm | ||
Longueur 1.07mm | ||
Hauteur 5.3mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET en mode d'amélioration de canal P DiodeZetex a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Il est applicable dans les commutateurs de charge et les po
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