MOSFET Vishay canal P, IPAK (TO-251) 3,1 A 100 V

Le MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay Semiconductor fournit au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à la mise sous tension et de rentabilité. Le DPAK est conçu pour le montage en surface à l'aide de techniques de soudage à la vapeur, à l'infrarouge ou à la vague.

Valeur nominale dynamique dV/dt
Résistant aux avalanches répétitives
Disponible en ruban et bobine
Canal P
Commutation rapide