MOSFET canal N Infineon 340 A 40 V, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-5552
- Référence fabricant:
- IRFS3004TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
1 456,00 €
HT
1 744,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,82 € | 1 456,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-5552
- Référence fabricant:
- IRFS3004TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 340A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4mΩ | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 160nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 380W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 340A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4mΩ | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 160nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 380W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET d'Infineon est doté d'une robustesse de grille, d'avalanche et d'un dV/dt dynamique améliorés et d'une capacité et d'un SOA d'avalanche entièrement caractérisés.
Capacité de diode de corps dV/dt et dI/dt améliorée
Sans plomb
Rectification synchrone à haut rendement dans les SMPS
Alimentation ininterrompue
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