MOSFET canal N Infineon 173 A 60 V, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9363
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-529
- Référence fabricant:
- IRFB7537PBF
- Marque:
- Infineon
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| 50 - 120 | 2,192 € | 10,96 € |
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- Code commande RS:
- 257-9363
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-529
- Référence fabricant:
- IRFB7537PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 173A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 15mΩ | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 173A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 15mΩ | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFB d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal n simple de 60 V dans un boîtier TO 220. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.
Boîtier d'alimentation à montage traversant standard
Intensité nominale élevée
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Diode à corps plus souple par rapport à la génération de silicium précédente
Large portefeuille disponible
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