MOSFET Infineon canal N, PG-TDSON-8 68 A 120 V

Les transistors MOSFET de puissance Infineon OptiMOS 3 au niveau logique sont parfaitement adaptés aux applications de charge, d'adaptateur et de télécommunications. Les dispositifs à faible charge de grille réduisent les pertes de commutation sans compromettre les pertes de conduction. Les transistors MOSFET de niveau logique permettent des opérations à des fréquences de commutation élevées et, en raison d'une faible tension de seuil de grille, peuvent être commandés directement à partir de microcontrôleurs.

Faible charge de grille
Charge de sortie plus faible
Compatibilité de niveau logique
Conceptions de densité de puissance plus élevée
Fréquence de commutation plus élevée