MOSFET canal N Infineon 1.4 A 30 V Enrichissement, 6 broches, US BSD AEC-Q101
- Code commande RS:
- 258-0698
- Référence fabricant:
- BSD316SNH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,068 € | 204,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,067 € | 201,00 € |
| 15000 + | 0,065 € | 195,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-0698
- Référence fabricant:
- BSD316SNH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | US | |
| Série | BSD | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 160mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.5W | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Largeur | 1.25mm | |
| Hauteur | 900μm | |
| Longueur | 2mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier US | ||
Série BSD | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 160mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.5W | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Largeur 1.25mm | ||
Hauteur 900μm | ||
Longueur 2mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Les fabricants automobiles et industriels de transistors MOSFET à petit signal à canal N d'Infineon offrent une large gamme de transistors MOSFET à petit signal à canal N et P qui répondent et dépassent les plus hautes exigences de qualité dans des boîtiers standard industriels bien connus. Avec des niveaux inégalés de fiabilité et de capacité de fabrication, ces composants sont parfaitement adaptés pour une grande variété d'applications, y compris l'éclairage à LED, les ADAS, les unités de commande de corps, les SMPS et la commande de moteur.
Mode d'amélioration
Niveau logique
Homologué avalanche
Commutation rapide
Valeur nominale DV/dt
Le faible RDS(on) fournit un meilleur rendement et prolonge l'autonomie de la batterie
Les petits boîtiers permettent d'économiser de l'espace sur le circuit imprimé
Meilleure qualité et fiabilité de sa catégorie
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