MOSFET N Infineon 1.4 A 30 V Enrichissement, 6 broches, US BSD AEC-Q101
- Code commande RS:
- 258-0698
- Référence fabricant:
- BSD316SNH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
150,00 €
HT
180,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,05 € | 150,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,049 € | 147,00 € |
| 15000 + | 0,048 € | 144,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-0698
- Référence fabricant:
- BSD316SNH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | BSD | |
| Type de Boitier | US | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 160mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 0.8V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.5W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Longueur | 2mm | |
| Hauteur | 0.9mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série BSD | ||
Type de Boitier US | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 160mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 0.8V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.5W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Longueur 2mm | ||
Hauteur 0.9mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Les fabricants automobiles et industriels de transistors MOSFET à petit signal à canal N d'Infineon offrent une large gamme de transistors MOSFET à petit signal à canal N et P qui répondent et dépassent les plus hautes exigences de qualité dans des boîtiers standard industriels bien connus. Avec des niveaux inégalés de fiabilité et de capacité de fabrication, ces composants sont parfaitement adaptés pour une grande variété d'applications, y compris l'éclairage à LED, les ADAS, les unités de commande de corps, les SMPS et la commande de moteur.
Mode d'amélioration
Niveau logique
Homologué avalanche
Commutation rapide
Valeur nominale DV/dt
Le faible RDS(on) fournit un meilleur rendement et prolonge l'autonomie de la batterie
Les petits boîtiers permettent d'économiser de l'espace sur le circuit imprimé
Meilleure qualité et fiabilité de sa catégorie
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