MOSFET Infineon, PG-TO247-4 1200 V

Le MOSFET SiC CoolSiC 1 200 V, 60 mΩ d'Infineon dans le boîtier TO247-4 est basé sur un processus de semi-conducteur en tranchée de pointe optimisé pour combiner performances et fiabilité. Par rapport aux commutateurs à base de silicium traditionnels tels que les IGBT et les transistors MOSFET, le transistor MOSFET SiC offre un certain nombre d'avantages. Celles-ci incluent les niveaux de charge de grille et de capacité de dispositif les plus bas observés dans les commutateurs 1 200 V, aucune perte de récupération inversée de la diode de corps interne résistante à la commutation, de faibles pertes de commutation indépendantes de la température et une caractéristique d'état sous tension sans seuil. Les transistors MOSFET CoolSiC sont parfaits pour les topologies de commutation dures et résonantes telles que les circuits de correction du facteur de puissance, les topologies bidirectionnelles et les convertisseurs c.c.-c.c. ou les inverseurs c.c.-c.a.

Large plage de tension porte-source
Diode de corps robuste et à faible perte évaluée pour la commutation difficile
Pertes de commutation de mise hors tension indépendantes de la température
Rendement le plus élevé
Effort de refroidissement réduit