MOSFET Infineon, PG-TO 220 66 A 650 V

Le transistor MOSFET à super jonction CoolMOS PFD7 de 600 V d'Infineon complète l'offre CoolMOS 7 pour les applications grand public. Le transistor MOSFET dans un boîtier à câble étroit TO-220 FullPAK est doté d'un RDS(on) de 125 mOhm pour de faibles pertes de commutation. Les produits sont fournis avec une diode à corps rapide garantissant un dispositif robuste et, à son tour, une réduction de la facture de matériau pour le client. Cette famille de produits est adaptée à une densité de puissance ultra-haute ainsi qu'à des conceptions à haut rendement. Les produits s'adressent principalement aux chargeurs à très haute densité, aux adaptateurs et aux entraînements de moteur à faible consommation. Le CoolMOS PFD7 de 600 V offre un meilleur rendement léger et à pleine charge par rapport aux technologies CoolMOS P7 et CE MOSFET, ce qui entraîne une augmentation de la densité de puissance de 1,8 W/pouce3.

Large gamme de valeurs RDS(on)
Excellente robustesse de commutation
Faible IEM
Large portefeuille de boîtiers
Réduction des coûts BOM et fabrication facile
Robustesse et fiabilité
Facile à sélectionner les pièces adaptées pour le réglage fin de la conception