MOSFET Infineon canal N, PG-TDSON 120 A 80 V

Le transistor MOSFET de puissance Infineon OptiMOS 5 80 V, spécialement conçu pour la rectification synchrone pour les alimentations de télécommunications et de serveur. En outre, le dispositif peut également être utilisé dans d'autres applications industrielles telles que les variateurs solaires, les variateurs basse tension et les adaptateurs. Dans sept boîtiers différents, les transistors MOSFET OptiMOS 5 80 V offrent le RDS(on) le plus bas de l'industrie. En outre, par rapport à la génération précédente, l'OptiMOS 5 80 V offre une réduction de RDS(on) jusqu'à 43 %.

Idéal pour une fréquence de commutation élevée
Réduction de la capacité de sortie jusqu'à 44 %
Rendement du système le plus élevé
Pertes de conduction et de commutation réduites
Moins de parallélisation nécessaire
Densité de puissance accrue
Dépassement de faible tension