MOSFET Infineon, PG-TO220-3 211 A 700 V

Le transistor MOSFET de super jonction Infineon 650 V CoolMOS CFD7 dans un boîtier TO-220 est parfaitement adapté pour les topologies de résonance dans les applications industrielles, telles que les serveurs, les télécommunications, les stations de charge solaire et EV, dans lesquelles il permet des améliorations significatives du rendement par rapport à la concurrence. En tant que successeur de la famille de MOSFET CFD2 SJ, il est fourni avec une charge de grille réduite, un comportement de mise hors tension amélioré et une charge de récupération inverse réduite permettant le rendement et la densité de puissance les plus élevés, ainsi qu'une tension de rupture supplémentaire de 50 V.

Diode de corps ultra-rapide et très faible Qrr
Tension de rupture de 650 V
Pertes de commutation nettement réduites par rapport à la concurrence
Excellente robustesse de commutation difficile
Marge de sécurité supplémentaire pour les conceptions avec une tension de bus accrue
Permet une densité de puissance accrue