MOSFET N Infineon 483 A 100 V Enrichissement, TO-247 HEXFET
- Code commande RS:
- 258-3950
- Référence fabricant:
- IRF100P218AKMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 258-3950
- Référence fabricant:
- IRF100P218AKMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 483A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.28mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | +175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 483A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.28mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum +175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension maximale drain-source de 100 V, courant de drain continu maximal de 483 A - IRF100P218AKMA1
Ce MOSFET est un dispositif semi-conducteur à canal N à courant élevé destiné aux tâches de commutation et de conversion de puissance. Il fonctionne dans une large plage de températures adaptée aux environnements exigeants et est fourni dans un boîtier TO‐247 pour le montage en surface. Le dispositif utilise une conduction en mode d'enrichissement et est conforme aux exigences RoHS.
Caractéristiques et avantages :
• Rds(on) de 1.28 mΩ réduit les pertes de conduction sous charge lourde
• Les Vds de 100 V permettent des applications d'alimentation à moyenne tension
• Le courant continu 483 A prend en charge la commutation à courant élevé
• La plage de -55 à +175 °C permet un fonctionnement à température industrielle
• La tension directe de 1,2 V améliore l'efficacité de la conduction de la diode
• Les Vds de 100 V permettent des applications d'alimentation à moyenne tension
• Le courant continu 483 A prend en charge la commutation à courant élevé
• La plage de -55 à +175 °C permet un fonctionnement à température industrielle
• La tension directe de 1,2 V améliore l'efficacité de la conduction de la diode
Applications
• Convient aux étages de puissance d'entraînement de moteur
• Idéal pour la commutation de sortie d'inverseur
• Utilisé avec les conceptions d'alimentation à courant élevé
• Peut être utilisé pour les convertisseurs c.c.-c.c. dans les systèmes industriels
• Convient aux bancs d'essai à courant élevé et aux bancs de charge
• Idéal pour la commutation de sortie d'inverseur
• Utilisé avec les conceptions d'alimentation à courant élevé
• Peut être utilisé pour les convertisseurs c.c.-c.c. dans les systèmes industriels
• Convient aux bancs d'essai à courant élevé et aux bancs de charge
Quelle disposition de montage utilise-t-il?
Il est fourni dans un boîtier TO‐247 conçu pour le montage en surface.
Quel type de conduction l'appareil utilise-t-il?
Le transistor est un canal de type N à mode d'enrichissement pour une commutation contrôlée.
Est-il conforme aux restrictions courantes en matière de substances dangereuses?
Il est homologué RoHS, ce qui indique que les substances réglementées sont contrôlées.
Quelles sont les extrêmes thermiques qu'il peut tolérer pendant son fonctionnement?
Le dispositif est spécifié pour fonctionner entre -55 °C et +175 °C.
Quelle est la tension directe typique pendant la conduction du corps à la diode?
La tension directe est spécifiée à 1,2 V.
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