MOSFET N Infineon 224 A 150 V Enrichissement, TO-247 HEXFET
- Code commande RS:
- 258-3955
- Référence fabricant:
- IRF150P220AKMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
9,46 €
HT
11,35 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 86 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 9,46 € |
| 5 - 9 | 9,00 € |
| 10 - 24 | 8,80 € |
| 25 - 49 | 8,21 € |
| 50 + | 7,56 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3955
- Référence fabricant:
- IRF150P220AKMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 224A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.70mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | +175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 224A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.70mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum +175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension drain-source de 150 V, courant de drain continu de 224 A - IRF150P220AKMA1
Ce MOSFET est un transistor à canal N à mode d'amélioration de puissance élevée, conçu pour les fonctions de commutation et de conversion de puissance exigeantes. Il fonctionne sur une plage de températures étendue et est conditionné pour un montage en surface afin de favoriser la dissipation thermique et une manipulation robuste dans les assemblages d'alimentation. La conformité RoHS indique qu'il convient aux environnements nécessitant l'adhésion à des substances réglementées.
Caractéristiques et avantages :
• La faible résistance à l'état passant réduit les pertes de conduction et améliore l'efficacité
• La capacité de courant continu élevé prend en charge la commutation à charge lourde
• La tension nominale de 150 V permet des niveaux de puissance à haute tension
• Large tolérance aux températures permettant un fonctionnement dans des conditions extrêmes
• La faible tension directe réduit la dissipation de puissance dans la conduction par diode
• La capacité de courant continu élevé prend en charge la commutation à charge lourde
• La tension nominale de 150 V permet des niveaux de puissance à haute tension
• Large tolérance aux températures permettant un fonctionnement dans des conditions extrêmes
• La faible tension directe réduit la dissipation de puissance dans la conduction par diode
Applications
• Convient aux étages d'inverseurs d'entraînement de moteur dans les équipements industriels
• Idéal pour les convertisseurs c.c.-c.c. à courant élevé et les alimentations
• Utilisé avec les topologies de pont dans les systèmes de traction électriques
• Peut être utilisé pour la commutation haute puissance dans les onduleurs renouvelables
• Convient aux modules d'alimentation robustes nécessitant un montage en surface
• Idéal pour les convertisseurs c.c.-c.c. à courant élevé et les alimentations
• Utilisé avec les topologies de pont dans les systèmes de traction électriques
• Peut être utilisé pour la commutation haute puissance dans les onduleurs renouvelables
• Convient aux modules d'alimentation robustes nécessitant un montage en surface
Quel est le type de boîtier et l'orientation de montage de l'appareil?
Il est fourni dans un boîtier TO-247 configuré pour un montage en surface.
Comment la plage thermique affecte-t-elle le déploiement dans les environnements difficiles?
La plage de fonctionnement nominale de -55 °C à +175 °C permet une utilisation où le démarrage à basse température et la résistance à haute température sont nécessaires.
Quelle configuration de canal et quel mode de grille utilise-t-il?
Il s'agit d'un dispositif à canal N fonctionnant en mode d'amélioration, adapté aux conceptions courantes de commutateurs côté bas et côté haut.
Quelles sont les caractéristiques électriques qui réduisent les pertes de commutation pendant le fonctionnement?
Une résistance de drain‐source maximale de 2,70 mΩ et une tension de diode directe de 1,2 V réduisent les pertes de conduction et de récupération sous des courants élevés.
L'appareil est-il conforme aux exigences en matière de substances réglementées?
Oui, il est conforme aux exigences RoHS pour les matériaux soumis à des restrictions.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 224 A 150 V Enrichissement, TO-247 HEXFET
- MOSFET N Infineon 186 A 150 V Enrichissement, TO-247 HEXFET
- MOSFET N Infineon 483 A 100 V Enrichissement, TO-247 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 78 A 150 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 270 A 60 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 94 A 200 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 327 A 40 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 44 A 250 V Enrichissement TO-247 HEXFET