MOSFET Infineon canal P, DPAK 13 A 150 V

Le transistor MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon est un transistor HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier qui utilise des techniques de traitement avancées pour atteindre la plus faible résistance possible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les transistors MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le D-PAK est conçu pour le montage en surface à l'aide de techniques de soudage à la vapeur, à l'infrarouge ou à la vague. La version de câble droit est destinée aux applications de montage à montage traversant. Des niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1,5 W sont possibles dans les applications à montage en surface typiques.

Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Robustesse accrue
Large disponibilité auprès des partenaires de distribution
Niveau de qualification standard