MOSFET P Infineon -13 A -150 V, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 258-3985
- Référence fabricant:
- IRFR6215TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 842,00 €
HT
2 211,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,614 € | 1 842,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3985
- Référence fabricant:
- IRFR6215TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -150V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 580mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | -1.6V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 44nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id -13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -150V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 580mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf -1.6V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 44nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon est un transistor HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier qui utilise des techniques de traitement avancées pour atteindre la plus faible résistance possible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les transistors MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le D-PAK est conçu pour le montage en surface à l'aide de techniques de soudage à la vapeur, à l'infrarouge ou à la vague. La version de câble droit est destinée aux applications de montage à montage traversant. Des niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1,5 W sont possibles dans les applications à montage en surface typiques.
Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Robustesse accrue
Large disponibilité auprès des partenaires de distribution
Niveau de qualification standard
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