MOSFET Infineon 5 A 55 V, SOT-223 HEXFET
- Code commande RS:
- 258-3997
- Référence fabricant:
- IRLL024ZTRPBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
5,34 €
HT
6,41 €
TTC
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,068 € | 5,34 € |
| 50 - 120 | 0,94 € | 4,70 € |
| 125 - 245 | 0,874 € | 4,37 € |
| 250 - 495 | 0,824 € | 4,12 € |
| 500 + | 0,756 € | 3,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3997
- Référence fabricant:
- IRLL024ZTRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon est spécialement conçu pour les applications automobiles. Ce transistor MOSFET de puissance HEXFET utilise les dernières techniques de traitement pour atteindre une résistance à la mise sous tension extrêmement faible par zone de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température de fonctionnement de jonction, une vitesse de commutation rapide et une valeur nominale d'avalanche répétitive améliorée. Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications automobiles et une grande variété d'autres applications.
Technologie de processus avancée
Résistance à la mise sous tension ultra-faible
Driver de grille de niveau logique
Température d'utilisation : 150 °C
Commutation rapide
Avalanche répétitive autorisée jusqu'à Tjmax
Nos clients ont également consulté
- MOSFET Infineon 5 A 55 V, SOT-223 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 1.9 A 55 V, SOT-223 HEXFET Fifth Generation
- MOSFET canal N Infineon 2.8 A 55 V Enrichissement SOT-223 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 5.1 A 55 V Enrichissement SOT-223 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 5.2 A 55 V Enrichissement SOT-223 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 4.4 A 55 V Enrichissement SOT-223 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 1.6 A 100 V, SOT-223 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 2.6 A 150 V Enrichissement SOT-223 HEXFET
