MOSFET P Infineon 4 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SPD15P10P

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Code commande RS:
258-4034
Référence fabricant:
SPD04P10PGBTMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-252

Série

SPD15P10P

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

9nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Les transistors MOSFET de puissance à canal P d'Infineon sont des familles OptiMOS extrêmement innovantes qui incluent des transistors MOSFET de puissance à canal P. Ces produits répondent en permanence aux exigences de qualité et de performance les plus élevées dans les spécifications clés pour la conception de systèmes d'alimentation, telles que la résistance à l'état actif et les caractéristiques de mérite.

Mode d'amélioration

Homologué avalanche

Placage de câble sans plomb; Conforme RoHS

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