MOSFET Infineon canal N, PG-TO252-3 7.7 A 30 V
- Code commande RS:
- 258-7021
- Référence fabricant:
- BSO220N03MDGXUMA1
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en bobine de 2500)
0,324 €
HT
0,389 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,324 € | 810,00 € |
| 5000 + | 0,307 € | 767,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-7021
- Référence fabricant:
- BSO220N03MDGXUMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Les charges de grille et de sortie du transistor MOSFET OptiMOS 3 série M d'Infineon sont ultra-faibles, et sa résistance à l'état passant plus faible et ses boîtiers à faible encombrement en font le meilleur choix pour les besoins exigeants des solutions de régulation de tension dans les serveurs et les applications de données et de télécommunications.
Durée de vie de la batterie optimisée
Permet des conceptions faciles
Réduit les pertes de puissance
Permet des conceptions faciles
Réduit les pertes de puissance
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 7.7 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Type de boîtier | PG-TO252-3 |
| Type de montage | CMS |
Nos clients ont également consulté
- MOSFET Infineon canal N, PG-TO252-3 7.7 A 30 V
- Transistor MOSFET Infineon canal N, PG-TO252-3-11 30 A
- MOSFET Infineon canal N, PG-TO252-3 139 A 60 V, 3 broches
- MOSFET Infineon canal N, PG-TO252-3 59 A 100 V
- MOSFET Infineon canal N, PG-TO252-3 137 A 100 V
- MOSFET Infineon canal N, PG-TO252-3 67 A 100 V
- Transistor MOSFET Infineon canal N, PG-TO252-3 75 A
- MOSFET Infineon canal N, PG-TO252-3 120 A 60 V, 3 broches