MOSFET Infineon canal N, PG-TSDSON-8-FL 102 A 30 V

Le transistor MOSFET de puissance Infineon est doté d'une très faible charge de grille et de sortie, ainsi que d'une résistance à l'état passant la plus faible dans de petits boîtiers d'encombrement, ce qui fait de l'OptiMOS 25 V le meilleur choix pour les exigences exigeantes des solutions de régulateur de tension dans les serveurs, les applications de communication de données et de télécommunications. Il est adapté aux besoins de gestion de l'alimentation dans les ordinateurs portables grâce à un comportement IEM amélioré, ainsi qu'à une durée de vie de la batterie plus longue.

Charge de sortie et de grille ultra-faible
Résistance à l'état sous tension la plus faible dans les petits boîtiers d'encombrement
Facile à concevoir
Longue durée de vie de la batterie
Comportement IEM amélioré, rendant obsolètes les réseaux snubber externes
Economie de coûts
Gain de place
Réduction des pertes de puissance