MOSFET canal N Infineon 180 A 60 V N, TO-263 iPB

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Code commande RS:
259-1541
Référence fabricant:
IPB014N06NATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

180A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

iPB

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Mode de canal

N

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La famille de produits Infineon Optimos 25 V d'Infineon établit de nouvelles normes en termes de densité de puissance et d'efficacité énergétique pour les transistors MOSFET de puissance discrets et le système dans un boîtier. La charge de grille et de sortie ultrafaible, ainsi que la plus faible résistance à l'état passant dans de petits boîtiers d'encombrement, font d'optimos 25 V le meilleur choix pour les exigences exigeantes des solutions de régulateur de tension dans les serveurs, les applications de communication de données et de télécommunications. Disponible en configuration demi-pont (étage d'alimentation 5 x 6).

Mode d'amélioration canal N

Certifié AEC

MSL1 jusqu'à 260 °C de refusion de crête

Température d'utilisation : 175 °C

Produit écologique (conforme à la directive RoHS)

Rds(on) ultrafaibles

Testé à 100 % contre les avalanches

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