Transistor MOSFET Infineon canal N, PG-HSOF-8 236 A 100 V

Les transistors MOSFET de puissance Infineon StrongIRFET 2 sont optimisés pour une large gamme d'applications telles que les SMPS, l'entraînement de moteur, l'alimentation par batterie, la gestion de batterie, les UPS et les véhicules électriques légers. Cette nouvelle technologie offre jusqu'à 40 % d'amélioration de RDS(on) et jusqu'à 60 % de Qg inférieur par rapport aux dispositifs StrongIRFET précédents, ce qui se traduit par un meilleur rendement énergétique pour une meilleure performance globale du système. Des courants nominaux plus élevés permettent une plus grande capacité de transport de courant, ce qui élimine le besoin de plusieurs périphériques en parallèle, ce qui se traduit par une réduction des coûts BOM et des économies de carte.

Large disponibilité auprès des partenaires de distribution
Excellent rapport qualité/prix
Idéal pour les fréquences de commutation élevées et basses
Encombrement standard de l'industrie, boîtier traversant
Intensité nominale élevée