MOSFET N Infineon 187 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 iPB

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
262-5855
Référence fabricant:
IPB018N06NF2SATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

187A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

iPB

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.15mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le transistor de puissance à canal N d'Infineon est optimisé pour une large gamme d'applications et est testé à 100 % contre les avalanches.

Placage de câble sans plomb

Conforme à la directive RoHS

Sans halogène conformément à la norme CEI61249-2-21

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