MOSFET canal N Infineon 120 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 iPB
- Code commande RS:
- 262-5858
- Référence fabricant:
- IPB029N06NF2SATMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,776 € | 620,80 € |
| 1600 + | 0,757 € | 605,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 262-5858
- Référence fabricant:
- IPB029N06NF2SATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | iPB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.15mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série iPB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.15mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor de puissance à canal N d'Infineon est optimisé pour une large gamme d'applications et est testé à 100 % contre les avalanches.
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