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MOSFET canal N Infineon 120 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 iPB

Name: MOSFET canal N Infineon 120 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 iPB
Brand: Infineon
SKU: 262-5859
Availability: InStock

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Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	120A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TO-263
	Série	iPB
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.15mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 120A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TO-263
	Série iPB
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.15mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

Le transistor de puissance à canal N d'Infineon est optimisé pour une large gamme d'applications et est testé à 100 % contre les avalanches.

Placage de câble sans plomb

Conforme à la directive RoHS

Sans halogène conformément à la norme CEI61249-2-21

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