MOSFET canal N ROHM 7 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 R6007END3
- Code commande RS:
- 264-3777
- Référence fabricant:
- R6007END3TL1
- Marque:
- ROHM
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 264-3777
- Référence fabricant:
- R6007END3TL1
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | R6007END3 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.62Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 20nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 78W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série R6007END3 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.62Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 20nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 78W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET à faible bruit de la marque ROHM est adapté pour les alimentations à découpage. Il est doté d'une faible résistance à la mise sous tension, d'un faible bruit de rayonnement et d'un placage ne contenant pas de plomb, et est conforme à la directive RoHS.
Commutation rapide
Utilisation parallèle facile
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N ROHM 7 A 600 V Enrichissement TO-252 R6007END3
- MOSFET canal N ROHM 10 A 600 V Enrichissement TO-252 R60
- MOSFET canal N ROHM 9 A 600 V Enrichissement TO-252 R60
- MOSFET canal N ROHM 4 A 600 V Enrichissement TO-252 R60
- MOSFET canal N ROHM 4 A 600 V Enrichissement TO-252 R6004END3
- MOSFET canal N ROHM 13 A 600 V Enrichissement TO-252 R6013VND3 NaN
- MOSFET canal N ROHM 7 A 650 V Enrichissement TO-252
- MOSFET canal N ROHM 7 A 7 V Enrichissement TO-252 R60
