MOSFET canal N ROHM 4 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-346 RQ5E040TN

Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*

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Code commande RS:
264-3828
Référence fabricant:
RQ5E040TNTL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SOT-346

Série

RQ5E040TN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

48mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.9nC

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

Pb-free lead plating, RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TH
Le transistor MOSFET à faible signal de la marque ROHM est un transistor MOSFET doté d'une faible résistance à l'état passant idéal pour les applications de commutation. Il s'agit d'un petit boîtier à montage en surface. Il est doté d'un placage ne contenant pas de plomb.; Conforme à la directive RoHS et certifié AEC-Q101.

Diode de protection G-S intégrée

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