MOSFET canal N ROHM 1 A 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-346 RSR010N10HZG

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264-3843
Référence fabricant:
RSR010N10HZGTL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

1A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

SOT-346

Série

RSR010N10HZG

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

520mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

3.5nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

AEC-Q101, RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TH
Le transistor MOSFET à faible signal de la marque ROHM est un transistor MOSFET à faible résistance à l'état passant pour l'automobile. Il est adapté aux applications de convertisseur c.c./c.c. Il est doté d'un petit boîtier à montage en surface et d'un placage ne contenant pas de plomb.; Conforme à la directive RoHS et certifié AEC-Q101.

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