MOSFET canal N ROHM 2 A 45 V Enrichissement, 6 broches, SOT-457 RTQ020N05HZG

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Code commande RS:
264-3860
Référence fabricant:
RTQ020N05HZGTR
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

2A

Tension Drain Source maximum Vds

45V

Série

RTQ020N05HZG

Type de Boitier

SOT-457

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

190mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.25W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

2.3nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

AEC-Q101

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TH
Le transistor MOSFET à faible signal de la marque ROHM est un transistor MOSFET idéal pour les applications de commutation. Il s'agit d'un produit hautement fiable de classe automobile certifié AEC-Q101. Il s'agit d'un petit boîtier à montage en surface et d'un placage en plomb sans plomb et conforme à la directive RoHS.

Faible résistance à l'état passant

Diode de protection G-S intégrée

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