MOSFET canal N ROHM 23 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 R6055VNX
- Code commande RS:
- 265-5419
- Référence fabricant:
- R6055VNXC7G
- Marque:
- ROHM
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 265-5419
- Référence fabricant:
- R6055VNXC7G
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 23A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | R6055VNX | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.071Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 100W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | Pb-Free Plating, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 23A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série R6055VNX | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.071Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 100W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations Pb-Free Plating, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de ROHM avec une faible résistance à l'état passant et un boîtier de haute puissance qui convient aux circuits de commutation, aux applications de batterie à cellule unique et aux applications mobiles.
Temps de rétablissement rapide de l'inversion (trr)
Faible résistance à l'état passant
Vitesse de commutation rapide
Les circuits d'entraînement peuvent être simples
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N ROHM 23 A 600 V Enrichissement TO-220 R6055VNX
- MOSFET canal N ROHM 8 A 600 V Enrichissement TO-220 R6013VNX
- MOSFET canal N ROHM 23 A 600 V Enrichissement TO-3PF R6055VNZ
- MOSFET canal N Infineon 23 A 600 V Enrichissement TO-220 IPP60R AEC-Q101
- MOSFET canal N ROHM 500 mA 600 V Enrichissement SOP
- MOSFET canal N ROHM 70 A 600 V Enrichissement, 3 broches
- MOSFET canal N ROHM 200 mA 50 V Enrichissement SOT-23 RYC002N05
- MOSFET canal N ROHM 35 A 650 V Enrichissement TO-220 R6535KNX3