MOSFET canal N Infineon 23 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 IPP60R AEC-Q101
- Code commande RS:
- 222-4923
- Référence fabricant:
- IPP60R022S7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 100 - 100 | 7,126 € | 356,30 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4923
- Référence fabricant:
- IPP60R022S7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 23A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | IPP60R | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 22mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 150nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 390W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Hauteur | 9.45mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.57mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 23A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série IPP60R | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 22mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 150nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 390W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.36mm | ||
Hauteur 9.45mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.57mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
La conception Infineon optimisée pour les faibles pertes de conduction, le transistor MOSFET Superjonction 600 V CoolMOS TM S7 (IPP60R022S7) TO-220 est doté du meilleur prix RDS(on) x pour les applications à faible fréquence de commutation, telles que les ponts redresseurs actifs, les niveaux d'inverseur, les relais de pointe, les PLC, les lignes c.c. haute tension, Relais statiques d'alimentation et disjoncteurs statiques. Le transistor MOSFET 600 V CoolMOS TM S7 SJ atteint un rendement énergétique plus élevé et réduit les frais de nomenclature.
Minimise les pertes de conduction
Augmentation du rendement énergétique
Conceptions plus compactes et plus faciles
Eliminez ou réduisez le dissipateur thermique dans une conception à semi-conducteurs
Coût total de possession réduit (TCO) ou coût de nomenclature
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