MOSFET canal N Infineon 23 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 IPP60R AEC-Q101
- Code commande RS:
- 222-4924
- Référence fabricant:
- IPP60R022S7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 9 | 11,20 € |
| 10 - 24 | 10,63 € |
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- Code commande RS:
- 222-4924
- Référence fabricant:
- IPP60R022S7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 23A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | IPP60R | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 22mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 150nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 390W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.57mm | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Hauteur | 9.45mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 23A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série IPP60R | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 22mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 150nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 390W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.57mm | ||
Longueur 10.36mm | ||
Hauteur 9.45mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
La conception Infineon optimisée pour les faibles pertes de conduction, le transistor MOSFET Superjonction 600 V CoolMOS TM S7 (IPP60R022S7) TO-220 est doté du meilleur prix RDS(on) x pour les applications à faible fréquence de commutation, telles que les ponts redresseurs actifs, les niveaux d'inverseur, les relais de pointe, les PLC, les lignes c.c. haute tension, Relais statiques d'alimentation et disjoncteurs statiques. Le transistor MOSFET 600 V CoolMOS TM S7 SJ atteint un rendement énergétique plus élevé et réduit les frais de nomenclature.
Minimise les pertes de conduction
Augmentation du rendement énergétique
Conceptions plus compactes et plus faciles
Eliminez ou réduisez le dissipateur thermique dans une conception à semi-conducteurs
Coût total de possession réduit (TCO) ou coût de nomenclature
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