MOSFET canal N Infineon 36.23 A 700 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO220-3 IPP

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Code commande RS:
273-3019
Référence fabricant:
IPP65R060CFD7XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

36.23A

Tension Drain Source maximum Vds

700V

Type de Boitier

PG-TO220-3

Série

IPP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

60mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

68nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

171W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

JEDEC, RoHS

Le MOSFET de super jonction MOS CFD7 à froid 650 V d'Infineon dans un boîtier TO-220 est idéal pour les topologies de résonance dans les applications industrielles, telles que les serveurs, les télécommunications, les stations de charge solaire et EV, dans lesquelles il permet une amélioration significative du rendement

Excellente robustesse de commutation difficile

Marge de sécurité supplémentaire pour les conceptions avec tension de bus accrue

Permet d'augmenter la densité de puissance

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