MOSFET Infineon 18 A 600 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-220 CoolMOSTM P7
- Code commande RS:
- 273-7458
- Référence fabricant:
- IPAN60R180P7SXKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 273-7458
- Référence fabricant:
- IPAN60R180P7SXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | PG-TO-220 | |
| Série | CoolMOSTM P7 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.18Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 26W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier PG-TO-220 | ||
Série CoolMOSTM P7 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.18Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 26W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET Infineon de la plateforme Cool MOS de 7ème génération est une technologie révolutionnaire pour les MOSFET de puissance à haute tension, conçue selon le principe de la super jonction et mise au point par Infineon Technologies. La série 600 V Cool MOS P7 est le successeur de la série Cool MOS P6. Il combine les avantages d'un transistor MOSFET SJ à commutation rapide avec une excellente facilité d'utilisation, par exemple une très faible tendance à la sonnerie, une excellente robustesse de la diode de corps contre la commutation difficile et une excellente capacité ESD. En outre, les pertes de commutation et de conduction extrêmement faibles rendent les applications de commutation encore plus efficaces, plus compactes et beaucoup plus froides.
Facile à utiliser
Excellente robustesse ESD
Gestion thermique simplifiée
Réduction significative de la commutation
Adapté pour la commutation dure et souple
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