MOSFET P onsemi 460 mA 25 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 UniFET
- Code commande RS:
- 354-4913
- Référence fabricant:
- FDV304P
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
0,38 €
HT
0,46 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 328 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 26 607 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 0,38 € |
| 10 - 99 | 0,34 € |
| 100 - 499 | 0,29 € |
| 500 - 999 | 0,25 € |
| 1000 + | 0,23 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 354-4913
- Référence fabricant:
- FDV304P
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 460mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 25V | |
| Série | UniFET | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.1Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 350mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 930μm | |
| Longueur | 2.92mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 460mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 25V | ||
Série UniFET | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.1Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 350mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 1.3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 930μm | ||
Longueur 2.92mm | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor
La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.
Caractéristiques et avantages :
Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension
Conception de cellule haute densité
• Courant de saturation élevé
• commutation supérieure
Excellentes performances robustes et fiables
Technologie DMOS
Applications :
Commutation de charge
• Convertisseur c.c./c.c.
Protection de batterie
• Commande de gestion de l'alimentation
Commande de moteur c.c.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P onsemi 460 mA 25 V Enrichissement SOT-23 UniFET
- MOSFET canal N onsemi 680 mA 25 V Enrichissement SOT-23 UniFET
- MOSFET P onsemi 900 mA 30 V Enrichissement SOT-23 NDS352AP
- MOSFET P onsemi 180 mA 60 V Enrichissement SOT-23 NDS0605
- MOSFET P onsemi 120 mA 60 V Enrichissement SOT-23 NDS0605
- MOSFET P onsemi 800 mA 150 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET P onsemi 1.9 A 30 V Enrichissement SOT-23
- MOSFET P onsemi 1 A 20 V Enrichissement SOT-23