MOSFET onsemi canal P, SOT-23 460 mA 25 V, 3 broches

Code commande RS:: 166-1711
Référence fabricant:: FDV304P
Marque:: onsemi

MOSFET onsemi canal P, SOT-23 460 mA 25 V, 3 broches

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6000 +	0,093 €	279,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 166-1711
Référence fabricant:: FDV304P
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet

Législation et Conformité

Détail produit

MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor

La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.

Caractéristiques et avantages :

Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension
Conception de cellule haute densité
• Courant de saturation élevé
• commutation supérieure
Excellentes performances robustes et fiables
Technologie DMOS

Applications :

Commutation de charge
• Convertisseur c.c./c.c.
Protection de batterie
• Commande de gestion de l'alimentation
Commande de moteur c.c.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	460 mA
Tension Drain Source maximum	25 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	1,1 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	0.65V
Dissipation de puissance maximum	350 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	+8 V
Charge de Grille type @ Vgs	1,1 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Longueur	2.92mm
Largeur	1.3mm
Hauteur	0.93mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C