MOSFET canal N Infineon 5.2 A 55 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 OptiMOS AEC-Q

Code commande RS:: 462-2935
Référence fabricant:: BSP603S2LHUMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 5.2 A 55 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 OptiMOS AEC-Q

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Code commande RS:: 462-2935
Référence fabricant:: BSP603S2LHUMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	5.2A
	Tension Drain Source maximum Vds	55V
	Type de Boitier	SOT-223
	Série	OptiMOS
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	33mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	1.1V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	31nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	1.8W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	1.6mm
	Largeur	3.5mm
	Normes/homologations	RoHS
	Longueur	6.5mm
	Standard automobile	AEC-Q

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 5.2A
	Tension Drain Source maximum Vds 55V
	Type de Boitier SOT-223
	Série OptiMOS
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 33mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf 1.1V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 31nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 1.8W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 1.6mm
	Largeur 3.5mm
	Normes/homologations RoHS
	Longueur 6.5mm
	Standard automobile AEC-Q

Datasheet

Infineon OptiMOS™ Series MOSFET, 5,2A Maximum Continuous Drain Current, 1,8W Maximum Power Dissipation - BSP603S2LHUMA1

Ce MOSFET à canal N est conçu pour des performances efficaces dans diverses applications électriques. Avec un courant de drain continu maximum de 5,2A et une tension drain-source maximum de 55V, il offre de solides capacités de gestion et de contrôle de l'alimentation, ce qui en fait un composant important pour les professionnels des secteurs de l'automobile et de l'électronique.

Caractéristiques et avantages

• Le faible RDS(on) minimise la perte de puissance pendant le fonctionnement

• La tension de seuil maximale de la grille améliore l'efficacité de la commutation

• Le montage en surface facilite l'intégration dans les circuits imprimés compacts

• Qualifié par l'AEC pour répondre aux normes rigoureuses de l'industrie automobile

• Fonctionnement à haute température jusqu'à +150°C pour une meilleure durabilité

Applications

• Gestion de l'énergie dans l'électronique automobile

• Convient aux convertisseurs DC-DC des véhicules électriques

• Utilisé dans la commande de moteurs pour la robotique et l'automatisation

• Commutateur de charge dans l'électronique grand public

Quelle est la charge de grille typique à 10V ?

La charge de grille typique est de 31nC, ce qui optimise les performances de commutation à 10V.

Convient-il pour des applications dans des environnements à haute température ?

Oui, il fonctionne de manière fiable à des températures allant jusqu'à +150°C, ce qui est idéal pour les conditions difficiles.

Comment ce composant gère-t-il des charges de courant importantes ?

Avec un courant de drainage continu maximum de 5,2A, il gère efficacement les charges élevées tout en maintenant les performances.

Ce MOSFET peut-il réduire efficacement les pertes d'énergie ?

Oui, la caractéristique de faible RDS(on) minimise la résistance à l'état passant, ce qui contribue à réduire les pertes d'énergie pendant le fonctionnement.

Ce produit respecte-t-il les normes environnementales ?

Oui, il est conforme à la directive RoHS, ce qui garantit qu'il respecte les normes de sécurité environnementale pour les composants électroniques.