MOSFET P Infineon 8.8 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SIPMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
462-3247
Référence fabricant:
SPD08P06PGBTMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

8.8A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-252

Série

SIPMOS

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

300mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

42W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10nC

Tension directe Vf

-1.55V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Hauteur

2.3mm

Longueur

6.5mm

Standard automobile

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 8,8A Maximum Continuous Drain Current, 42W Maximum Power Dissipation - SPD08P06PGBTMA1


Ce MOSFET est conçu pour les applications nécessitant une commutation et un contrôle efficaces. Elle peut supporter des courants de drain continus de 8,8A et une tension drain-source de 60V, convenant à divers circuits électroniques. L'appareil fonctionne efficacement dans une large gamme de températures, améliorant ainsi les performances dans les environnements difficiles.

Caractéristiques et avantages


• Le fonctionnement en mode amélioré garantit des performances de commutation efficaces

• Capacité de puissance élevée pour les applications électroniques puissantes

• Le faible Rds(on) minimise les pertes d'énergie pendant le fonctionnement

• Utilise le boîtier DPAK pour des applications de montage en surface efficaces

Applications


• Applicable dans les commandes électroniques automobiles pour une grande fiabilité

• Idéal pour les systèmes de gestion de l'énergie dans les équipements industriels

• Convient aux systèmes de gestion de la batterie des véhicules électriques

• Utilisé dans la technologie des onduleurs pour les systèmes d'énergie renouvelable

• Utilisé dans les dispositifs de commutation électronique pour les produits de consommation

Quelles sont les implications de l'utilisation d'une configuration à canal P ?


Les configurations à canal P facilitent l'intégration dans les applications de commutation côté haut, offrant un contrôle pratique dans les circuits.

Comment la performance thermique affecte-t-elle la longévité ?


La capacité de fonctionner jusqu'à +175°C améliore la fiabilité et contribue à une durée de vie plus longue dans les environnements difficiles.

Quelle est l'importance de la qualification AEC-Q101 ?


Cette qualification confirme qu'il convient aux applications automobiles et qu'il répond aux normes de fiabilité et de sécurité les plus strictes.

Peut-on l'utiliser avec d'autres MOSFET ?


Oui, il peut être intégré à d'autres composants afin de créer des circuits complémentaires pour des applications efficaces à commutation multiple.

Quels sont les facteurs qui influencent la dissipation de puissance dans ce dispositif ?


Les facteurs clés sont la température ambiante, le courant d'évacuation et le cycle de fonctionnement, qui ont tous une incidence sur les performances thermiques globales.

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