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    MOSFET Infineon canal P, DPAK (TO-252) 8,83 A 60 V, 3 broches

    En cours d'approvisionnement
    Unité

    Prix pour l'unité (en bobine de 2500)

    0,321 €

    HT

    0,385 €

    TTC

    Unité
    Prix par unité
    la bobine*
    2500 - 25000,321 €802,50 €
    5000 +0,305 €762,50 €

    *Prix donné à titre indicatif

    Code commande RS:
    911-4824
    Référence fabricant:
    SPD08P06PGBTMA1
    Marque:
    Infineon

    Attribut
    Valeur
    Type de canalP
    Courant continu de Drain maximum8,83 A
    Tension Drain Source maximum60 V
    Type de boîtierDPAK (TO-252)
    SérieSIPMOS®
    Type de montageCMS
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum300 mΩ
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille4V
    Tension de seuil minimale de la grille2.1V
    Dissipation de puissance maximum42 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
    Température d'utilisation maximum+175 °C
    Matériau du transistorSi
    Longueur6.5mm
    Charge de Grille type @ Vgs10 nC @ 10 V
    Largeur6.22mm
    Nombre d'éléments par circuit1
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
    Hauteur2.3mm

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