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    MOSFET Infineon canal P, D2PAK (TO-263) 80 A 60 V, 3 broches

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    1 - 94,01 €
    10 - 243,69 €
    25 - 493,46 €
    50 - 993,21 €
    100 +2,97 €
    Options de conditionnement :
    Code commande RS:
    753-3166
    Référence fabricant:
    SPB80P06PGATMA1
    Marque:
    Infineon

    Attribut
    Valeur
    Type de canalP
    Courant continu de Drain maximum80 A
    Tension Drain Source maximum60 V
    Type de boîtierD2PAK (TO-263)
    SérieSIPMOS®
    Type de montageCMS
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum23 mΩ
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille4V
    Tension de seuil minimale de la grille2.1V
    Dissipation de puissance maximum340 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
    Matériau du transistorSi
    Largeur9.45mm
    Température d'utilisation maximum+175 °C
    Nombre d'éléments par circuit1
    Charge de Grille type @ Vgs115 nC @ 10 V
    Longueur10.31mm
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
    Hauteur4.57mm

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