MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 42 A 100 V, 3 broches

Code commande RS:: 541-0856
Numéro d'article Distrelec:: 303-41-346
Référence fabricant:: IRFP150NPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 42 A 100 V, 3 broches

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Code commande RS:: 541-0856
Numéro d'article Distrelec:: 303-41-346
Référence fabricant:: IRFP150NPBF
Marque:: Infineon

Datasheet

Transistor MOSFET de puissance à canal N 100 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximum de 42A, dissipation de puissance maximum de 160W - IRFP150NPBF

Ce MOSFET est conçu pour des applications de haute performance qui nécessitent une commutation efficace. Grâce à sa configuration à canal N, il gère efficacement des charges de puissance importantes, ce qui en fait un composant clé dans divers circuits électroniques et systèmes de gestion de la puissance. Sa capacité à fonctionner dans une large gamme de températures accroît son adaptabilité à divers environnements.

Caractéristiques et avantages

• Courant de vidange continu maximum de 42A
• Tension drain-source maximale de 100V
• Faible Rds(on) de 36mΩ pour une meilleure efficacité
• Puissance dissipée maximale de 160 W
• Utilise le mode d'amélioration pour un meilleur fonctionnement
• Intégré dans un boîtier TO-247AC pour un montage direct

Applications

• Utilisé dans les circuits d'alimentation des dispositifs d'automatisation
• Adapté à la commande de moteurs dans les machines industrielles
• Utilisé dans les systèmes d'énergie renouvelable pour une conversion efficace de l'énergie
• Applicable à la commutation à haute fréquence dans les télécommunications

Peut-on l'utiliser dans des environnements à haute température ?

Oui, il fonctionne efficacement à des températures allant jusqu'à +175°C, ce qui permet de l'utiliser dans des conditions difficiles.

Quelle est la tension maximale de grille-source qu'il peut supporter ?

Le dispositif est conçu pour gérer une tension maximale de porte-source de -20V et +20V, ce qui offre de nombreuses options pour la conception de circuits.

En quoi la faible valeur de Rds(on) est-elle bénéfique pour la performance ?

Un faible Rds(on) minimise les pertes de puissance pendant le fonctionnement, améliorant ainsi l'efficacité globale et la gestion thermique.

Convient-il pour un montage à travers un trou ?

Oui, le boîtier TO-247AC est spécifiquement conçu pour les applications de montage à travers un trou.

Quelles sont les considérations à prendre en compte lors de l'installation ?

Veillez à ce que l'appareil soit correctement refroidi pendant son fonctionnement afin de maintenir des performances optimales et d'éviter toute surchauffe.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	42 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Série	HEXFET
Type de boîtier	TO-247AC
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	36 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	160 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	5.3mm
Charge de Grille type @ Vgs	110 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Longueur	15.9mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Hauteur	20.3mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Tension directe de la diode	1.3V