Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 20 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SuperFET

Code commande RS:: 671-0330
Référence fabricant:: FCB20N60TM
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 20 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SuperFET

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Code commande RS:: 671-0330
Référence fabricant:: FCB20N60TM
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	20A
	Tension Drain Source maximum Vds	600V
	Série	SuperFET
	Type de Boitier	TO-263
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	190mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	75nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	208W
	Tension directe Vf	1.4V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-30V, +30V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	9.65mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	9.65mm
	Hauteur	4.83mm
	Standard automobile	Non

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	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 20A
	Tension Drain Source maximum Vds 600V
	Série SuperFET
	Type de Boitier TO-263
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 190mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 75nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 208W
	Tension directe Vf 1.4V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 9.65mm
	Normes/homologations No
	Largeur 9.65mm
	Hauteur 4.83mm
	Standard automobile Non

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin D2PAK

Transistor MOSFET à canal N SuperFET® et SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Fairchild a ajouté la famille de transistors de puissance MOSFET haute tension SuperFET® II grâce à la technologie Super Junction. Elle offre les meilleures performances en matière de diode à corps robuste dans les applications d'alimentations à découpage c.a.-c.c. telles que les serveurs, les télécommunications, l'informatique, les alimentations industrielles, les alimentations dans interruption, les signaux et signalisations électroniques, les convertisseurs solaires, les applications d'éclairage qui exigent forte densité de puissance, rendement système et fiabilité.

En utilisant une technologie d'équilibrage de charge avancée, les concepteurs obtiennent des solutions plus efficaces, rentables et performantes qui prennent moins de place sur le circuit et améliorent la fiabilité.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

MOSFET canal N onsemi 20 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SuperFET

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