Références fabricant

MOSFET P onsemi 2.5 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 NDT

Code commande RS:: 671-1096
Référence fabricant:: NDT2955
Marque:: onsemi

MOSFET P onsemi 2.5 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 NDT

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

6,47 €

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Unité	Prix par unité	le paquet*
5 +	1,294 €	6,47 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 671-1096
Référence fabricant:: NDT2955
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	2.5A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Série	NDT
	Type de Boitier	SOT-223
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	300mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	11nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	-1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	3W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Longueur	6.5mm
	Largeur	3.56mm
	Hauteur	1.6mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 2.5A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Série NDT
	Type de Boitier SOT-223
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 300mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 11nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf -1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 3W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Longueur 6.5mm
	Largeur 3.56mm
	Hauteur 1.6mm
	Standard automobile Non

Datasheet

MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor

La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.

Caractéristiques et avantages :

Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension

Conception de cellule haute densité

• Courant de saturation élevé

• commutation supérieure

Excellentes performances robustes et fiables

Technologie DMOS

Applications :

Commutation de charge

• Convertisseur c.c./c.c.

Protection de batterie

• Commande de gestion de l'alimentation

Commande de moteur c.c.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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