MOSFET P onsemi 2.5 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 NDT

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671-1096
Référence fabricant:
NDT2955
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

NDT

Type de Boitier

SOT-223

Type de montage

Surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

300mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

11nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

3W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

1.6mm

Longueur

6.5mm

Standard automobile

Non

MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor


La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.

Caractéristiques et avantages :


Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension

Conception de cellule haute densité

• Courant de saturation élevé

• commutation supérieure

Excellentes performances robustes et fiables

Technologie DMOS

Applications :


Commutation de charge

• Convertisseur c.c./c.c.

Protection de batterie

• Commande de gestion de l'alimentation

Commande de moteur c.c.

Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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