Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 4 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 NDT

Code commande RS:: 671-1090
Numéro d'article Distrelec:: 304-43-740
Référence fabricant:: NDT3055L
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 4 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 NDT

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50 - 95	1,03 €	5,15 €
100 - 495	0,89 €	4,45 €
500 - 995	0,784 €	3,92 €
1000 +	0,716 €	3,58 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 671-1090
Numéro d'article Distrelec:: 304-43-740
Référence fabricant:: NDT3055L
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	4A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Série	NDT
	Type de Boitier	SOT-223
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	100mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	3W
	Température minimum de fonctionnemen	-65°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	13nC
	Tension directe Vf	1.2V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	6.5mm
	Largeur	3.56mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	1.6mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 4A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Série NDT
	Type de Boitier SOT-223
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 100mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 3W
	Température minimum de fonctionnemen -65°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 13nC
	Tension directe Vf 1.2V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 6.5mm
	Largeur 3.56mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 1.6mm
	Standard automobile Non

Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin SOT-223

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor

Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

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