MOSFET canal N onsemi 7.2 A 30 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 NDT451AN
- Code commande RS:
- 178-7632
- Référence fabricant:
- NDT451AN
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*
1 724,00 €
HT
2 068,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 04 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,431 € | 1 724,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-7632
- Référence fabricant:
- NDT451AN
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | NDT451AN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 35mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20, +20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.7mm | |
| Largeur | 3.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série NDT451AN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 35mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.7mm | ||
Largeur 3.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N onsemi 7.2 A 30 V Enrichissement SOT-223 NDT451AN
- MOSFET N onsemi 6.3 A 30 V Enrichissement SOT-223
- MOSFET P onsemi 7.5 A 30 V Enrichissement SOT-223 NDT
- MOSFET P onsemi 3.4 A 30 V Enrichissement SOT-223 PowerTrench
- MOSFET P onsemi 5 A 30 V Enrichissement SOT-223 NDT
- MOSFET P onsemi 2.9 A 30 V Enrichissement SOT-223 NTF AEC
- MOSFET N onsemi 850 mA 200 V Enrichissement SOT-223 QFET
- MOSFET N onsemi 3 A 60 V Enrichissement SOT-223